特許
J-GLOBAL ID：200903007876906406

電圧レベル変換回路

発明者：
平野 博茂

平野 博茂 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-152495
公開番号（公開出願番号）：特開2005-333595
出願日： 2004年05月21日
公開日（公表日）： 2005年12月02日
要約：
【課題】 高電源電圧VDD1に対応した論理電圧レベルを有する入力信号を、低電源電圧VDD2に対応した論理電圧レベルを有する信号に変換して出力する電圧レベル変換回路を、より低い低電源電圧VDD2で動作可能なものとする。【解決手段】 電源レベル変換回路101において、VDD1系の入力信号をVDD2系の信号に変換するレベル変換部101aと、レベル変換した入力信号を反転して出力する否定回路30とを備え、レベル変換部101aを構成するVDD1系の否定回路21a及び21bの出力は、レベル変換部101aにおける高耐圧トランジスタQhn1及びQhp2にのみ入力し、レベル変換部101aにおける低耐圧トランジスタQln1とQlp2には、低電源電圧VDD2に対応した論理電圧レベルを有する信号を入力し、さらにレベル変換部101a後段の否定回路30には、レベル変換部101aでレベル変換した入力信号のみを入力する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の電源電圧に対応した論理電圧レベルを有する入力信号を、前記第1の電源電圧より低い第2の電源電圧に対応した論理電圧レベルを有する出力信号に変換して出力する回路であって、 前記第2の電源電圧と接地電圧との間に、第2の電源電圧を耐圧とする第1のPチャネル型MOSトランジスタと第1の電源電圧を耐圧とする第1のNチャネル型MOSトランジスタとを直列に接続してなる第1の回路と、 前記第2の電源電圧と接地電圧との間に、第2の電源電圧を耐圧とする第2のPチャネル型MOSトランジスタと第1の電源電圧を耐圧とする第2のNチャネル型MOSトランジスタとを直列に接続してなる第2の回路とを備え、 前記第1のPチャネル型MOSトランジスタと前記第1のNチャネル型MOSトランジスタとの第1の接続点を前記第2のPチャネル型MOSトランジスタのゲートに接続し、 前記第2のPチャネル型MOSトランジスタと前記第2のNチャネル型MOSトランジスタとの第2の接続点を前記第1のPチャネル型MOSトランジスタのゲートに接続し、 前記出力信号を前記第2の接続点から、前記第2の電源電圧により駆動される回路に供給する、 ことを特徴とする電圧レベル変換回路。
IPC (1件)：
H03K19/0185
FI (1件)：
H03K19/00 101E
Fターム (10件)：
5J056AA33 ,  5J056BB02 ,  5J056BB17 ,  5J056BB57 ,  5J056CC21 ,  5J056DD13 ,  5J056DD28 ,  5J056EE11 ,  5J056FF08 ,  5J056GG06
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • レベルシフタ回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-185700   出願人：日本電気株式会社
審査官引用 (8件)
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