特許
J-GLOBAL ID：200903007907895513

四面体炭素膜を備える層状構造体により被覆した基板

発明者：
デケンペネール,エーリク

デケンペネール,エーリク について


出願人/特許権者：
ナムローゼ・フェンノートシャップ・ベーカート・ソシエテ・アノニム

ナムローゼ・フェンノートシャップ・ベーカート・ソシエテ・アノニム について


代理人 (9件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文 ,  吉田 尚美 ,  中村 綾子 ,  岡本 正之 ,  深川 英里 ,  森本 聡二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-526466
公開番号（公開出願番号）：特表2009-504919
出願日： 2006年07月13日
公開日（公表日）： 2009年02月05日
要約：
本発明は、層状構造体によって少なくとも部分的に被覆された金属基板(11)に関する。この層状構造体は、基板(11)に堆積した中間層(14)と、中間層に堆積した四面体炭素層(16)とを備える。中間層は、200GPaよりも低いヤング率を有する少なくとも1つの非結晶質炭素層を備えており、四面体炭素層は、200GPaよりも高いヤング率を有する。本発明は、さらに、基板に対する四面体炭素層の付着性を改良する方法、および金属基板のヤング率とこの金属基板に堆積した四面体炭素層のヤング率との差を埋める方法に関する。
請求項（抜粋）：
層状構造体によって少なくとも部分的に被覆された金属基板であって、前記基板上に堆積した中間層と、この中間層上に堆積した四面体炭素の層とを備えており、前記中間層が、200GPaよりも低いヤング率を有する少なくとも1つの非晶質炭素の層を備えており、前記四面体炭素層が、200GPaよりも高いヤング率を有するものである被覆基板。
IPC (2件)：
C23C 14/06 ,  C23C 30/00
FI (2件)：
C23C14/06 F ,  C23C30/00 C
Fターム (18件)：
4K029AA02 ,  4K029BA34 ,  4K029BA41 ,  4K029BB02 ,  4K029BB10 ,  4K029BD04 ,  4K044AA02 ,  4K044AA06 ,  4K044AB02 ,  4K044BA18 ,  4K044BB03 ,  4K044BB06 ,  4K044BC01 ,  4K044BC06 ,  4K044BC12 ,  4K044BC14 ,  4K044CA13 ,  4K044CA14
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (4件)
  • DLC膜ハンドブック, 20060602, 26-27
  • DLC膜ハンドブック, 20060602, 26-27
  • DLC膜ハンドブック, 20060602, 26-27
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