特許
J-GLOBAL ID：200903063002232640

硬質炭素薄膜及びその製造方法

発明者：
平野 均

平野 均 について

, 
蔵本 慶一

蔵本 慶一 について

, 
堂本 洋一

堂本 洋一 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-259833
公開番号（公開出願番号）：特開平11-100294
出願日： 1997年09月25日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：
【要約】【課題】 高い膜硬度を有し、かつ基板等の下地層に対する密着性に優れた硬質炭素被膜及びその製造方法を得る。【解決手段】 基板1上に設けられる硬質炭素薄膜において、薄膜2を構成する炭素原子のSP2 /SP3 比が基板1側から表面側に向かって減少する傾斜構造を有することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
薄膜を構成する炭素原子のSP2 結合/SP3 結合の比が下地側から表面側に向かって減少する傾斜構造を有することを特徴とする硬質炭素薄膜。
IPC (5件)：
C30B 29/04 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/314
FI (5件)：
C30B 29/04 B ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/314 A
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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