特許
J-GLOBAL ID：200903007937526091

III族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタ

発明者：
新山 勇樹

新山 勇樹 について

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野村 剛彦

野村 剛彦 について

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神林 宏

神林 宏 について

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吉田 清輝

吉田 清輝 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 松下 亮
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-157087
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311392
出願日： 2007年06月14日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：
【課題】ノーマリオフ動作の半導体素子で、高耐圧と大電流の両立を図ったノーマリオフ型のIII族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】MOSFET200は、基板201上に形成されたp型GaN層の半導体層203と、チャネル領域203a上にゲート酸化膜205を介して形成されたゲート電極208と、ソース電極206及びドレイン電極207とを備える。チャネル領域203aの両側にコンタクト領域210,211が形成され、ゲート電極208とドレイン電極207の間にリサーフ領域212が形成されている。コンタクト領域210,211は、半導体層203にn型不純物をイオン注入法により注入して形成したn+型GaN層である。リサーフ領域212のシートキャリア濃度を1×1012 cm-2以上5×1013 cm-2以下の範囲内に設定し、かつ、そのシート抵抗を100 Ω/sq.以上10 kΩ/sq.以下の範囲内に設定して高耐圧と大電流の両立を図る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にIII族窒化物半導体を用いて形成された第一導電型の半導体層と、前記半導体層のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ソース電極およびドレイン電極と、前記半導体層のチャネル領域の両側に形成され、前記ソース電極及びドレイン電極にそれぞれオーミック接触する第二導電型のコンタクト領域とを有するIII族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、 前記半導体層のチャネル領域に、ドレイン側の前記コンタクト領域に隣接して形成されたリサーフ領域を備え、 前記リサーフ領域のシートキャリア濃度は1×1012 cm-2以上5×1013 cm-2以下の範囲内であることを特徴とするIII族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617A ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 301B
Fターム (52件)：
5F110AA07 ,  5F110AA13 ,  5F110BB04 ,  5F110BB12 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE09 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ07 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HM12 ,  5F110HM14 ,  5F140AA25 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA17 ,  5F140BB15 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG37 ,  5F140BH15 ,  5F140BH18 ,  5F140BH21 ,  5F140BH30 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CD09 ,  5F140CE02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (3件)

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