特許
J-GLOBAL ID：200903042045058689

半導体装置および不純物導入用マスクならびに半導体装置の製造方法

発明者：
大竹 文雄

大竹 文雄 について


出願人/特許権者：
ユーディナデバイス株式会社

ユーディナデバイス株式会社 について


代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-108508
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294584
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】 オフセット領域を有する半導体装置の高耐圧化を図り、かつホットエレクトロン注入に起因するデバイス特性の劣化を抑制すること。【解決手段】 エピタキシャル層102の表面領域には、チャネル領域103、オフセット領域104、ドレイン領域105、およびソース領域106が設けられ、オフセット領域104は不純物濃度の異なる3つの領域を備えている。ゲート端から延在する第1オフセット領域104aおよびドレイン端から延在する第3オフセット領域104cは各々が均一のドナー濃度分布を有しており、これらの領域の間には、緩やかに不純物濃度が変化する第2オフセット領域104bが設けられている。オフセット領域104中での不純物濃度の空間的変化の不連続部分をなくした緩やかな濃度分布とし、これによりオフセット領域104におけるフェルミレベルの急激な変化が生じないようにしてエネルギバンドの湾曲状態を制御する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
ゲート電極端部からドレイン領域方向に延在するオフセット領域を備えている半導体装置であって、 前記オフセット領域上に、前記ゲート電極側からドレイン電極側にマスク開口率が変化するマスクを用いて不純物注入および熱処理を施すことにより、前記オフセット領域が不純物濃度の異なる複数の領域を有し、 当該複数の領域間には、不純物濃度が漸次変化する第1の濃度勾配領域が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L29/78 ,  H01L21/266
FI (2件)：
H01L29/78 301D ,  H01L21/265 M
Fターム (19件)：
5F140AA23 ,  5F140AA25 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA16 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BH05 ,  5F140BH12 ,  5F140BH13 ,  5F140BH17 ,  5F140BH18 ,  5F140BH30 ,  5F140BK13 ,  5F140BK15 ,  5F140BK21 ,  5F140CD09 ,  5F140CE13
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (12件)
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