特許

J-GLOBAL ID：200903008009085994

半導体圧力センサ

発明者： 水野 健太朗 ,  塚田 厚志 ,  野々村 裕 ,  大村 輝義 ,  藤塚 徳夫 ,  徳光 早苗
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 布施 行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-127830
公開番号（公開出願番号）：特開2001-304997
出願日： 2000年04月27日
公開日（公表日）： 2001年10月31日
要約：

【要約】【課題】 高圧測定であっても破壊しにくい半導体圧力センサを提供すること。【解決手段】 半導体圧力センサ100は、シリコン基板11と、ピエゾ抵抗部となるゲージ13a、13b、13c、13dと、圧力伝達ブロック19と、を備える。シリコン基板11は、(100)面である主表面11aを有する。ゲージ13a、13b、13c、13dは、主表面11aに位置している。ゲージ13a、13b、13c、13dは、長尺なメサ形状をしている。ゲージ13a、13cの長手方向は、結晶の<110>方向と同じである。ゲージ13b、13dの長手方向は、結晶の<100>方向と同じである。

請求項（抜粋）：

ピエゾ抵抗効果を利用して、圧力を検出する半導体圧力センサであって、(100)面、または、これと等価な結晶面を有する半導体基板と、ピエゾ抵抗部と、を備え、前記ピエゾ抵抗部には、圧力検出時、圧縮力が作用し、それによりピエゾ抵抗効果が生じ、前記ピエゾ抵抗部は、前記(100)面、または、これと等価な結晶面に、形成されている、半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84 Z

Fターム (12件)：

2F055AA40 ,  2F055BB16 ,  2F055CC01 ,  2F055DD05 ,  2F055EE13 ,  2F055FF38 ,  2F055GG11 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA44 ,  4M112CA49 ,  4M112EA03

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 力検知素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-099683   出願人：株式会社豊田中央研究所
• 特開平3-029829
  
• 半導体センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-228783   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平3-029829
  
• 半導体加速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-059524   出願人：株式会社エスアイアイ・アールディセンター
• 半導体圧力センサおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-240625   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平4-313275
  
• 力変換素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-149569   出願人：トヨタ自動車株式会社