特許
J-GLOBAL ID：200903008041525491
半導体レーザ素子用サブマウント
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
波多野 久
, 関口 俊三
, 猿渡 章雄
, 古川 潤一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-330366
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101102
出願日： 2003年09月22日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】半導体レーザ素子と金属製ヒートシンクに接合する半導体レーザ素子用サブマウントについて、接合コストが低く、高い接合強度を有し、フラックスレス接合が可能な半導体レーザ用サブマウントを提供する。【解決手段】基板の表面に密着層、バリア層、電極層としてのAu層がこの順番に積層されており、さらに上記電極層の表面にGe層、Snを主成分とするA層、Au層、がこの順番に積層され、またはSnを主成分とするA層、Ge層、Au層がこの順番に積層されており、上記A層は、Au,Ag,Cuから選択される少なくとも1種の元素を0.1質量%〜15質量%含有し、残部がSnから成る合金で構成されたことを特徴とする半導体レーザ素子用サブマウント。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の表面に密着層、バリア層、電極層としてのAu層がこの順番に積層されており、さらに上記電極層の表面にGe層、Snを主成分とするA層、Au層、がこの順番に積層され、またはSnを主成分とするA層、Ge層、Au層がこの順番に積層されており、上記A層は、Au,Ag,Cuから選択される少なくとも1種の元素を0.1質量%〜15質量%含有し、残部がSnから成る合金で構成されたことを特徴とする半導体レーザ素子用サブマウント。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
5F073EA24
, 5F073EA29
, 5F073FA15
, 5F073FA16
, 5F073FA21
審査官引用 (5件)
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サブマウントおよび半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-127948
出願人：住友電気工業株式会社
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半田組成物
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-240875
出願人：株式会社村田製作所
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はんだ合金
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-153372
出願人：富士電機株式会社
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