特許
J-GLOBAL ID：200903008072811786
半導体レーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-150897
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340889
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザを均一性、再現性に優れる気相成長法で製作する際に、ブロック層7,8を選択埋め込み成長するためのマスク層23をセルフアライメントに確実に形成する。【解決手段】 n型InP基板1の表面に活性層3を含むダブルヘテロ構造とAlAsでなるマスク層23を選択的に形成し、表面が酸化した状態のマスク層23をマスクとしてその両側に半導体ブロック層7,8を埋め込み成長し、さらにマスク層23を除去したのちにダブルヘテロ構造と半導体ブロック層8の上に、半導体クラッド層5と半導体コンタクト層6を積層する。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板上に、ストライプ状の2本の成長阻止マスクを形成する工程と、前記成長阻止マスクに挟まれた導波領域に半導体活性層を含むダブルヘテロ構造とその上にAlを含む半導体でなるマスク層とを選択的に気相成長する工程と、前記導波領域上面のマスク層が少なくとも表面が酸化した状態でそれを成長阻止マスクとしてその両側に半導体ブロック構造を気相により埋め込み成長する工程と、さらに前記マスク層を除去した下地のダブルヘテロ構造および半導体ブロック構造の上に、少なくとも第2導電型半導体クラッド層を気相成長により形成する工程とからなることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Fターム (7件)：
5F073AA22
, 5F073AA74
, 5F073BA02
, 5F073CA07
, 5F073CA12
, 5F073DA27
, 5F073EA23
