導波路型光素子

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-027480
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223989
出願日： 1997年02月12日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】信頼性が高く且つ高温動作に優れたビーム拡大機能を有する導波路型光素子、特に半導体レーザの素子構造を提供する。【解決手段】導波路型光素子の出射端面にレンズ機能を有する領域をモノリシック集積し、この領域のバッファ層またはクラッド層もしくはその両者に絶縁性の半導体層を導入する。これにより素子の高温特性および信頼性は飛躍的に向上する。【効果】本発明の導波路型光素子は容易な手法で実現できるため、素子性能の再現性や歩留まりが飛躍的に向上するだけでなく、この素子を適用した光モジュール、光通信システムの高性能化、低コスト化を容易に実現できる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上部に形成された第1導電型のバッファ層、コア層、及び第2の導電型のクラッド層を含めて構成された光導波路を有し、該光導波路の端部の少なくとも一方に光導波路を導波する光ビームのスポットを変換する領域がモノリシックに集積された導波路型光素子において、上記光導波路の一部の領域に電流または電圧を印加するための電極構造を有し、且つ上記光ビームスポット変換領域に位置する上記バッファ層又は上記クラッド層もしくはその両者が絶縁性の部分を含むことを特徴とする導波路型光素子。

IPC (4件)：

H01S 3/18 , G02B 6/122 , G02B 6/42 , H01L 31/0232

FI (4件)：

H01S 3/18 , G02B 6/42 , G02B 6/12 B , H01L 31/02 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

導波路型光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-021474 出願人：株式会社日立製作所
光半導体装置及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-216006 出願人：富士通株式会社
半導体光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-283450 出願人：日本電信電話株式会社

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