プラズマ処理装置及び方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤元亮輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-118889
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311892
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】本発明は、サセプタの昇降を確保しつつ処理室を均一に排気することができるプラズマ処理装置を提供することを例示的な目的とする。【解決手段】サセプタに接続された昇降部材と、処理室の底部に設けられて昇降部材に接続され、処理室の減圧環境を維持可能なベローズと、ベローズを介して処理室の底部から外部に延出された昇降部材に接続され、昇降部材を昇降させることによってサセプタを昇降することができる昇降装置と、サセプタのほぼ直下において処理室の底部に接続された高真空ポンプとプラズマ装置に設けた。

請求項（抜粋）：

被処理体に所定のプラズマ処理を行う処理室と、当該処理室に収納されて前記被処理体を載置可能なサセプタと、当該サセプタに接続された第1の昇降部材と、前記処理室の底部に設けられて前記第1の昇降部材に接続され、前記処理室の減圧環境を維持することができるベローズと、前記ベローズを介して前記処理室の前記底部から外部に延出された前記第1の昇降部材に接続され、前記第1の昇降部材を昇降させることによって前記サセプタを昇降することができる第1の昇降装置と、前記サセプタのほぼ直下において前記処理室の前記底部に接続された高真空ポンプとを有するプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 , B01J 19/08 , C23C 16/44 , C23C 16/511 , H01L 21/3065

FI (6件)：

H01L 21/31 C , B01J 19/08 H , C23C 16/44 G , C23C 16/44 F , C23C 16/511 , H01L 21/302 B

Fターム (52件)：

4G075AA24 , 4G075BC01 , 4G075BC06 , 4G075CA26 , 4G075CA47 , 4G075DA02 , 4G075ED13 , 4K030FA02 , 4K030GA02 , 4K030GA11 , 4K030KA22 , 4K030KA30 , 4K030KA41 , 4K030LA11 , 5F004AA01 , 5F004BA13 , 5F004BB14 , 5F004BB22 , 5F004BB24 , 5F004BB25 , 5F004BC03 , 5F004BC05 , 5F004BC06 , 5F004BC08 , 5F004BD04 , 5F004CA01 , 5F045AA09 , 5F045AA10 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045AC18 , 5F045AD08 , 5F045BB08 , 5F045DQ17 , 5F045EB02 , 5F045EB08 , 5F045EB13 , 5F045EF05 , 5F045EF11 , 5F045EF20 , 5F045EH02 , 5F045EH03 , 5F045EH04 , 5F045EH08 , 5F045EH19 , 5F045EJ01 , 5F045EJ02 , 5F045EM05 , 5F045EM09 , 5F045EM10 , 5F045EN04

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平1-128428
薄膜のバイアスプラズマアニール方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-178103 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-031526 出願人：日本電気株式会社

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