特許
J-GLOBAL ID：200903008175194912

半導体装置及びその製造方法

発明者：
小舘 淳一

小舘 淳一 について

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町田 克之

町田 克之 について

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浦野 正美

浦野 正美 について

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束原 恒夫

束原 恒夫 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-276738
公開番号（公開出願番号）：特開2006-088268
出願日： 2004年09月24日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：
【課題】MEMS素子などの微細な構造体から構成された異なる形態の素子が、LSIなどが形成されている半導体基板の上にモノリシックに搭載された半導体装置を提供する。【解決手段】側壁枠106aの上部に金属製の天井壁106dが形成され、MEMS素子106が形成された状態とする。半導体基板101の上では、形成された天井壁106dにより側壁枠106aの内側が、空間を備えた状態で封止された状態となる。電極パッド103の上に柱状の金属ポスト109が形成された状態とした後、MEMS素子106及び固定素子107が、充分な厚さの樹脂絶縁層108に覆われた状態とする。樹脂絶縁層108の上面は、金属ポスト109の上面が露出して平坦な状態とされ、半導体部品としての実装を容易にしている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に形成された信号処理を含む回路機能を有する半導体集積回路と、 前記半導体基板の上に形成されて前記半導体集積回路に接続された第1受動素子と、 前記半導体基板の上に形成されて前記半導体基板の面に対向する天井壁とこの天井壁を前記半導体基板の上に支持する側壁とを備えた容器と、 前記容器の内部の前記半導体基板の上に形成されて可動部を備えて前記半導体集積回路に接続された第2受動素子と、 前記第1受動素子及び前記容器を埋め込んで前記半導体基板の全域に形成されて上面が平坦な樹脂絶縁層と、 前記樹脂絶縁層の上面に配置された外部との接続のための端子と を少なくとも備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
B81B 7/02 ,  B81C 1/00
FI (2件)：
B81B7/02 ,  B81C1/00
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 静電リレー
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-119754   出願人：オムロン株式会社
審査官引用 (4件)
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