Si:CおよびSiGeエピタキシャル成長ソース/ドレインを用いた高性能で応力が向上されたMOSFETおよび製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：坂口博 , 市位嘉宏 , 上野剛史 , 太佐種一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-536715
公開番号（公開出願番号）：特表2007-528593
出願日： 2004年10月19日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】半導体デバイスはpFETおよびnFETのためのチャネルを含む。SiGe層はpFETチャネルのソースおよびドレイン領域に選択的に成長され、Si:C層はnFETチャネルのソースおよびドレイン領域に選択的に成長される。SiGe層およびSi:C層は、下に位置するSi層の格子ネットワークに一致して応力成分を生成する。1つの実施形態では、これによって、pFETチャネルでは圧縮成分が引き起こされ、nFETでは引張成分が引き起こされる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

p型電界効果トランジスタ(pFET)チャネルおよびn型電界効果トランジスタ(nFET)チャネルを基板内に形成するステップと、前記pFETチャネルにpFETスタックを、前記nFETチャネルにnFETスタックを形成するステップと、前記pFETスタックに関連するソース/ドレイン領域に、前記基板の基礎格子定数と異なる格子定数を有する第1の材料層を準備して、前記pFETチャネル内で圧縮状態を生成するステップと、前記nFETスタックに関連するソース/ドレイン領域に、前記基板の基礎格子定数と異なる格子定数を有する第2の材料層を準備して、前記nFETチャネルで、引張状態を生成するステップとを含む、半導体構造の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L27/08 321E , H01L27/08 321C , H01L29/78 613A , H01L29/78 616V , H01L29/78 616L

Fターム (36件)：

5F048AC03 , 5F048AC04 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BC01 , 5F048BC15 , 5F048BC18 , 5F048BD00 , 5F048BG13 , 5F048DA18 , 5F048DA19 , 5F048DA23 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F110AA04 , 5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD11 , 5F110EE09 , 5F110EE31 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG25 , 5F110HJ13 , 5F110HK08 , 5F110HK09 , 5F110HK13 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK41 , 5F110HM02 , 5F110NN65 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (7件)

集積CMOS回路装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-276394 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
相補型半導体装置および相補型半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-038262 出願人：株式会社東芝
極薄先端を有する新規のトランジスタおよびその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-520543 出願人：インテル・コーポレーション

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