特許
J-GLOBAL ID：200903008269429204

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者：
河田 将人

河田 将人 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-106731
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299395
出願日： 1999年04月14日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】 従来のフラッシュメモリでは、浮遊ゲートが均一なN型であるため、データの保持特性に十分な余裕がとれない。【解決手段】 浮遊ゲートのトンネル膜に接する部分をP型で形成し、トンネル膜から遠ざけた部分にN型を形成し、そのN型部分に蓄積された電子を存在させるようにしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
浮遊ゲートのトンネル膜に接する部分をP型で形成し、トンネル膜から遠ざけた部分にN型を形成し、そのN型部分に蓄積された電子を存在させるようにしたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115
FI (2件)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
Fターム (21件)：
5F001AA23 ,  5F001AA35 ,  5F001AA43 ,  5F001AA63 ,  5F001AB08 ,  5F001AD12 ,  5F001AE08 ,  5F001AF06 ,  5F001AF07 ,  5F001AG12 ,  5F001AG22 ,  5F083EP03 ,  5F083EP06 ,  5F083EP23 ,  5F083EP55 ,  5F083ER22 ,  5F083GA21 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA53 ,  5F083PR36
引用特許：
審査官引用 (4件)
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