特許
J-GLOBAL ID：200903008300952840
フリップチップ型窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-269640
公開番号（公開出願番号）：特開2005-117035
出願日： 2004年09月16日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】 半田コートされた電極を有するフリップチップ型窒化ガリウム系半導体発光素子において、チップサイズの小型化を可能とする製造方法の提供。【解決手段】 基板上にn型半導体層およびp型半導体層を順次積層した窒化ガリウム系半導体発光素子のp型半導体層表面に金属からなる正電極を形成した後、該正電極の表面の所定の部分と粘着性付与化合物を含む組成物とを反応させることにより正電極の表面の所定の部分に粘着性を付与し、粘着性付与部分にのみ半田粉末を付着させた後、加熱して半田粉末を溶融させ、正電極の表面の所定の部分に半田層を形成することからなる製造方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
基板上にn型半導体層およびp型半導体層を順次積層した窒化ガリウム系半導体発光素子のp型半導体層表面に金属からなる正電極を形成した後、該正電極の表面の所定の部分と粘着性付与化合物を含む組成物とを反応させることにより正電極の表面の所定の部分に粘着性を付与し、粘着性付与部分にのみ半田粉末を付着させた後、加熱して半田粉末を溶融させ、正電極の表面の所定の部分に半田層を形成することを特徴とするフリップチップ型窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 C
, H01L21/92 604H
5F041AA03
, 5F041AA47
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA83
, 5F041CA84
, 5F041CA85
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CA98
, 5F041DA03
, 5F041DA04
, 5F041DA09
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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