半導体素子のバンプ形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-047767
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199506
出願日： 1996年03月05日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】簡単な工程で信頼性の高いバンプ形成した半導体素子を得る。【解決手段】半導体素子のパッド電極上に粘着剤を付与する粘着剤処理工程、粘着剤を付与した部分に一又は二以上のはんだ粒子を付着させるはんだ粒子付着工程、及びはんだ粒子を溶融してバンプを形成するはんだ溶融工程とを有する半導体素子のバンプ形成方法であって、前記はんだ粒子を加熱溶融してバンプを形成する工程において、バンプ内に金属コアを介在させる。

請求項（抜粋）：

半導体素子のパッド電極上に粘着剤を付与する粘着剤処理工程、粘着剤を付与した部分に一又は二以上のはんだ粒子を付着させるはんだ粒子付着工程、及びはんだ粒子を溶融してバンプを形成するはんだ溶融工程とを有することを特徴とした半導体素子のバンプ形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 , H05K 3/34 505

FI (4件)：

H01L 21/92 602 E , H05K 3/34 505 A , H01L 21/92 604 N , H01L 21/92 604 B

引用特許：

審査官引用 (17件)

特開平4-258131
特開平4-258131
半導体装置の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-291679 出願人：ローム株式会社

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