特許
J-GLOBAL ID:200903008303309418

超電導磁石装置の着磁方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): ▲高▼橋 克彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-166267
公開番号(公開出願番号):特開2005-260279
出願日: 2005年06月06日
公開日(公表日): 2005年09月22日
要約:
【課題】 高い磁場を発生させるとともに、様々な用途および機器における利用を可能にすること。【解決手段】 超電導体3の回りに配設された着磁コイル4にパルス電源5からのパルス電流を通電することにより該超電導体3を着磁する超電導磁石装置の着磁方法において、超電導体3を超電導遷移温度以下に冷却し、前記超電導体3内に侵入する磁場の最小値と前記超電導体3内に捕捉される磁場の最大値とが等しくなるような印加磁場が発生するように、ピーク値が決定されているパルス電流を、前記着磁コイル4に通電する超電導磁石装置の着磁方法。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
超電導体の回りに配設された着磁コイルにパルス電流を通電することにより該超電導体を着磁する超電導磁石装置の着磁方法であって、 超電導体を超電導遷移温度以下に冷却し、 前記超電導体内に侵入する磁場の最小値と前記超電導体内に捕捉される磁場の 最大値とが等しくなるような印加磁場が発生するように、ピーク値が決定されているパルス電流を、前記着磁コイルに通電する ことを特徴とする超電導磁石装置の着磁方法。
IPC (1件):
H01F6/00
FI (1件):
H01F7/22 H
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (8件)
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