特許
J-GLOBAL ID：200903008316918081
磁気抵抗効果電流センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-198386
公開番号（公開出願番号）：特開平9-043327
出願日： 1995年08月03日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【課題】 測定精度が良くかつ、2次電流を流すための2次コイルを必要性をなくし、形状が小さくなるようにする。【解決手段】 強磁性体磁気抵抗素子部10と演算増幅回路部20が同一チップ上に形成され、強磁性体磁気抵抗素子部10は個々の磁気抵抗体11〜14をブリッジ状に形成し、そのうち少なくとも一つは他の磁気抵抗体の抵抗値と異なる抵抗値を有するようにしたものであるから、定常電流供給時に磁気平衡状態を自然に作り出すことができ、従来のようにホール素子を使用しないことから温度による変化が生じないことから測定精度が良く、また磁気平衡のために従来必要であった2次電流を流す2次コイルが必要なくなる。
請求項（抜粋）：
強磁性体磁気抵抗素子部と演算増幅部を備え前記強磁性体磁気抵抗素子部に計測電流に比例した外部からの磁界が与えられると抵抗値が変化する磁気抵抗効果電流センサにおいて、前記強磁性体磁気抵抗素子部と演算増幅回路部が同一チップ上に形成され、前記強磁性体磁気抵抗素子部はNi-Fe-Co合金またはNi-Fe合金の何れか一方からなる薄膜を近接して平行に形成された複数の線状パターンで形成した磁気抵抗体からなり、その磁気抵抗体は隣接する磁気抵抗体のパターン形成方向が相互に直角になるようにしたうえでブリッジ状に形成し、そのうち少なくとも一つは他の磁気抵抗体の抵抗値と異なる抵抗値を有していることを特徴とする磁気抵抗効果電流センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R 33/06 R
, G01R 15/02 A
