特許

J-GLOBAL ID：200903008369691763

高抵抗シリコンウエーハ及びその製造方法

発明者： 高瀬 伸光 ,  西川 英志 ,  伊藤 誠人 ,  末岡 浩治 ,  定光 信介
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社
代理人 (2件)： 生形 元重 ,  吉田 正二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-360731
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006615
出願日： 2002年12月12日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】ゲッタリング能、機械的強度及び経済性に優れ、しかもデバイスメーカーの側で実施される回路形成用熱処理での酸素サーマルドナーの発生を効果的に抑制できる高抵抗シリコンウエーハを製造する。【解決手段】抵抗率が100Ωcm以上で、酸素濃度が14×1017atoms /cm3 (ASTM F-121,1979 )以上、炭素濃度が0.5×1016atoms /cm3 以上である高酸素・炭素ドープの高抵抗シリコンウエーハに、非酸化性ガス雰囲気中で500〜900°C×5時間以上の酸素析出核形成熱処理を施し、更に950〜1050°C×10時間以上の酸素析出物成長熱処理を施す。これらの熱処理により、前記ウエーハ中の残存酸素濃度を12×1017atoms /cm3 (ASTM F-121,1979 )以下に制御する。抵抗率が100Ωcm以上で、内部に0.2μmサイズ以上の酸素析出物(BMD)が1×104 個/cm2 以上の高密度で形成された高抵抗・低酸素で高強度のシリコンウエーハが製造される。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

100Ωcm以上の抵抗率を有する高抵抗シリコンウエーハであって、ウエーハ内部に0.2μmサイズ以上の酸素析出物(BMD)が1×104 個/cm2 以上の密度で形成され、ウエーハ中の酸素濃度が12×1017atoms /cm3 (ASTM F-121,1979 )以下であり、炭素濃度が0.5×1016atoms /cm3 以上である高抵抗シリコンウエーハ。

IPC (2件)：

H01L21/322 ,  H01L21/26

FI (2件)：

H01L21/322 Y ,  H01L21/26 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-353386   出願人：住友シチックス株式会社
• シリコンウェーハの熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-331700   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社
• シリコンウェーハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-238999   出願人：住友金属工業株式会社
• 特開平4-069937
  
• 半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-024385   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社