欠陥検査方法およびその装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：作田康夫 , 井上学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-283014
公開番号（公開出願番号）：特開2006-098154
出願日： 2004年09月29日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：

【課題】 SOIウェハ表面にレーザビームを集光・照明し,発生する散乱光から表面の異物・欠陥を検出する検査装置において,SOIウェハのBOX層,SOI層の膜厚変化の影響を受けず,またBOX層に存在する異物・欠陥を検出せずに,最表面に存在する異物・欠陥のみの検出を可能とする。【解決手段】 Siへの浸透深度が10nm以下となる波長のレーザを照明光として用い,集光したレーザビームを照射し,発生する散乱光を検出することにより,薄膜干渉の影響を受けずに,SOIウェハの最表面に存在する異物・欠陥のみ検出できるようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面に光学的に透明な薄膜層が形成された試料の表面の欠陥を検出する方法であって、前記試料の表面を該表面とのなす角度が30度以下の方向から波長が210nmから390nmの範囲のレーザビームを照射し,該照射による前記試料の表面からの散乱光を検出することにより、前記試料表面の0.1μmよりも小さい欠陥を検出することを特徴とする欠陥検出方法。

IPC (2件)：

G01N 21/956 , H01L 21/66

FI (2件)：

G01N21/956 A , H01L21/66 J

Fターム (19件)：

2G051AA51 , 2G051AB01 , 2G051AB07 , 2G051BA01 , 2G051BA05 , 2G051BA10 , 2G051BA11 , 2G051BB01 , 2G051CA02 , 2G051CA06 , 2G051CB05 , 2G051CC07 , 2G051DA05 , 4M106AA01 , 4M106BA05 , 4M106BA07 , 4M106CA41 , 4M106DB02 , 4M106DB08

引用特許：

出願人引用 (11件)

米国特許4、601、576号公報
米国特許5、798、829号公報
異物検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-248372 出願人：株式会社東芝

全件表示

審査官引用 (4件)

ウエハ表面検査方法および検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-112073 出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
多孔質材料の比誘電率検出方法及び異物検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-047512 出願人：日立電子エンジニアリング株式会社, 株式会社日立製作所
特開平3-009246

全件表示

前のページに戻る