特許
J-GLOBAL ID：200903008491001271

(110)シリコンウエーハの製造方法

発明者：
大石 弘

大石 弘 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-281127
公開番号（公開出願番号）：特開2007-090466
出願日： 2005年09月28日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：
【課題】スライス時の割れの発生を抑制し、製造歩留まりを向上できる(110)シリコンウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】面方位(110)シリコン単結晶インゴットをワイヤソーによりスライスして(110)シリコンウエーハを製造する方法であって、前記ワイヤソーのワイヤの走行方向と、前記(110)シリコン単結晶インゴットにおける〔-112〕方向および〔1-12〕方向、または結晶学的に前記方向と等価な方向とのなす角度が、30°を超えるようにしてスライスを行うことを特徴とする(110)シリコンウエーハの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
面方位(110)シリコン単結晶インゴットをワイヤソーによりスライスして(110)シリコンウエーハを製造する方法であって、前記ワイヤソーのワイヤの走行方向と、前記(110)シリコン単結晶インゴットにおける〔-112〕方向および〔1-12〕方向、または結晶学的に前記方向と等価な方向とのなす角度が、30°を超えるようにしてスライスを行うことを特徴とする(110)シリコンウエーハの製造方法。
IPC (3件)：
B24B 27/06 ,  B28D 5/04 ,  H01L 21/304
FI (4件)：
B24B27/06 D ,  B28D5/04 C ,  H01L21/304 611W ,  H01L21/304 611B
Fターム (11件)：
3C058AA05 ,  3C058AB03 ,  3C058BA09 ,  3C058CB03 ,  3C058CB06 ,  3C058DA03 ,  3C069AA01 ,  3C069BA06 ,  3C069CA04 ,  3C069CB01 ,  3C069EA02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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