特許
J-GLOBAL ID：200903008517832630

凹凸状ポリシリコン層の形成方法及びこの方法の実施に使用される基板処理装置並びに半導体メモリデバイス

発明者：
酒井 純朗

酒井 純朗 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-332408
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150249
出願日： 1997年11月16日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 十分な量の不純物を添加しながらHSGのような凹凸状ポリシリコン層を半導体基板の表面に形成して、蓄積電荷量が増加され且つ特性の安定したキャパシターの構造によりメモリー容量を増加させる。【解決手段】 1×1020個/cc以上の高い燐濃度の第一のアモルファスシリコン膜92の上に1×1020個/cc以下の低い燐濃度の第二のアモルファスシリコン膜93を作成した後、真空中で連続してアニールして結晶化させる。第一のアモルファスシリコン膜92中から進む結晶化が第二のアモルファスシリコン膜93の表面に達する前に第二のアモルファスシリコン膜93の表面でシリコン原子が泳動して当該表面に凹凸が形成される。得られたポリシリコン層94は表面に凹凸が形成されているのでキャパシターの実効的な表面積が大きくなり、メモリー容量が増加する。また、十分な濃度の燐が添加されているのでデバイスの特性が安定する。
請求項（抜粋）：
表面に凹凸があり不純物が添加されているポリシリコン層を半導体基板の表面に形成する凹凸状ポリシリコン層の形成方法であって、不純物の添加濃度の高い第一のアモルファスシリコン膜の上に不純物の添加濃度の低い第二のアモルファスシリコン膜を作成する第一の工程と、第一の工程の後、作成された第一第二のアモルファスシリコン膜をアニールして結晶化させる第二の工程とを含み、第二の工程では、第一のアモルファスシリコン膜中から進む結晶化が第二のアモルファスシリコン膜の表面に達する前に第二のアモルファスシリコン膜の表面でシリコン原子を泳動させて当該表面に凹凸を形成することを特徴とする凹凸状ポリシリコン層の形成方法。
IPC (7件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/00 301
FI (6件)：
H01L 27/10 621 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/225 P ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 27/00 301 P
引用特許：
審査官引用 (6件)
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