特許
J-GLOBAL ID：200903008518335649
炭化珪素単結晶成長用種結晶とその製造方法及びそれを用いた結晶成長方法
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
八田 幹雄
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
, 宇谷 勝幸
, 藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-134305
公開番号（公開出願番号）：特開2005-314167
出願日： 2004年04月28日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：
【課題】 本発明は、ボイド欠陥あるいは微小多結晶粒、及び、これらに起因して発生する結晶欠陥の少ない良質の大口径インゴットを再現性良く製造し得る種結晶とその製造方法及びSiC単結晶インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】 片面が平面、他面が必ずしも平面でない炭化珪素単結晶成長用種結晶、及び、その製造方法、並びに、この種結晶を用いたSiC単結晶の結晶成長方法である。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
炭化珪素単結晶成長用種結晶の片面が平面、他の面が必ずしも平面でないことを特徴とする炭化珪素単結晶成長用種結晶。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
4G077AA02
, 4G077DA18
, 4G077ED01
, 4G077HA12
, 4G077SA01
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
