半導体装置の電気的連結配線製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-296519
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110894
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の電気的連結配線製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に層間絶縁層を形成して、層間絶縁層にコンタクトホールを形成する。コンタクトホールを埋込む有機物質よりなる侵蝕防止用プラグを形成する。この時、侵蝕防止用プラグはフォトレジストまたは有機ポリマーなどのような有機物質で形成される。侵蝕防止用プラグに隣接する層間絶縁層部分及び侵蝕防止用プラグを露出するフォトレジストパターンを形成する。フォトレジストパターン及び侵蝕防止用プラグにより露出される層間絶縁層部分を蝕刻してコンタクトホールに接する溝を形成する。侵蝕防止用プラグ及びフォトレジストパターンを除去する。溝及びコンタクトホールを埋込む導電性ラインを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に層間絶縁層を形成する段階と、前記層間絶縁層にコンタクトホールを形成する段階と、前記コンタクトホールを埋込む有機物質よりなる侵蝕防止用プラグを形成する段階と、前記侵蝕防止用プラグに隣接する前記層間絶縁層部分及び前記侵蝕防止用プラグを露出するフォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターン及び前記侵蝕防止用プラグにより露出する前記層間絶縁層部分を蝕刻して前記コンタクトホールに接する溝を形成する段階と、前記侵蝕防止用プラグ及び前記フォトレジストパターンを除去する段階と、前記溝及び前記コンタクトホールを埋込む導電性ラインを形成する段階とを含むことを特徴とする半導体装置の電気的連結配線製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-142044 出願人：株式会社東芝
電子装置の製造方法およびこれを用いた電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-038452 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法および多層配線構造の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-362935 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社

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