特許
J-GLOBAL ID：200903008732825190
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-251090
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067158
出願日： 2005年08月31日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：
【課題】これまで、高耐熱性が要求される半導体装置、特に車載用交流発電機に用いられる半導体装置の接続部材には高Pbはんだが使用されてきているが、環境負荷低減のためPbフリーの接続部材とすることが必要となってきた。これに対し、既存のPbフリーはんだによる接続では、高温下で使用すると、界面反応によるボイドの発生を招き、接続不良の問題を回避できない。【解決手段】耐熱性200°Cの接続方法として、室温から200°CにおいてCu6Sn5相を含有するSn系はんだとNi系めっきを組合せることで界面反応を抑制させ、200°C以上の耐熱性をもつ半導体装置の提供を実現する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
半導体素子と、半導体素子の第一の面と第一の接続材料も用いて接続される支持電極体と、前記支持電極体に支持された前記半導体素子の第二の面と第二の接続材料を用いて接続されるリード電極体とを有する半導体装置であって、前記支持部材の接続部及び前記リード電極体の接続部にはNi系めっきが施されており、前記第一の接続材料及び前記第二の接続材料は共晶組成よりCu6Sn5相の含有量が多い組成のSn系はんだであることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (3件)
審査官引用 (7件)
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