特許
J-GLOBAL ID：200903008767440681
3族窒化物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-241384
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065216
出願日： 1996年08月22日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 電極ー3族窒化物半導体層間のオーミック抵抗を低減する。【解決手段】 3族窒化物半導体(AlXInYGa1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む)層6と金属電極7との間に、バンドギャップが前記半導体層のバンドギャップよりも小さく、かつその厚さが1〜50nmである3族窒化物半導体(AlXInYGa1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む)製のコンタクト層11を設ける。
請求項（抜粋）：
3族窒化物半導体(AlXInYGa1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む)層と、金属電極と、前記半導体層と前記金属電極との間に設けられるコンタクト層であって、そのバンドギャップが前記半導体層のバンドギャップよりも小さく、かつその厚さが1〜50nmである3族窒化物半導体(AlXInYGa1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む)製のコンタクト層とを備えてなる3族窒化物半導体素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
