特許

J-GLOBAL ID：200903008824289723

金属層の形成方法、金属層、及び金属層を用いた表示装置

発明者： 中村 弘喜 ,  門 昌輝 ,  縄舟 秀美 ,  赤松 謙祐
出願人/特許権者： 株式会社 液晶先端技術開発センター
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-323712
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296424
出願日： 2003年09月16日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】金属材料の省資源化を達成することができる金属層の形成方法を提供する。【解決手段】表面が親水性の基板10上の選択された領域にシランカップリング剤からなる疎水膜11を設けて疎水性にする。有機物3に保護された金属粒子2を含む粒子分散液5を少なくとも疎水性の領域に付着させ、疎水性の領域に選択的に凝集させて、金属粒子2同士を結合させる。このようにすることにより、基板10上に選択的に金属層20を形成することができる。このように形成した金属層20を配線に適用することで、微細配線、低抵抗配線、長配線を達成できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも選択された領域が疎水性を有する基板を準備する工程と、 有機物で保護された金属又は金属酸化物の粒子を含む分散液を少なくとも前記基板上の疎水性の領域に付着させる工程と、 前記金属又は金属酸化物の粒子を結合させる工程とを具備してなることを特徴とする前記基板上の選択された領域への金属層の形成方法。

IPC (8件)：

H01B13/00 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  H01B5/14 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/786

FI (9件)：

H01B13/00 503D ,  G02F1/1333 500 ,  G02F1/1368 ,  H01B5/14 B ,  H01L21/28 A ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/88 B ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 617J

Fターム (85件)：

2H090HC05 ,  2H090JB02 ,  2H090LA01 ,  2H090LA04 ,  2H090LA20 ,  2H092GA11 ,  2H092GA31 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB11 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB66 ,  2H092MA10 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  2H092PA12 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD17 ,  4M104DD20 ,  4M104DD21 ,  4M104DD46 ,  4M104DD47 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD78 ,  4M104FF13 ,  4M104FF16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH15 ,  5F033HH31 ,  5F033HH35 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM11 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ54 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX08 ,  5F033XX34 ,  5F110AA03 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE06 ,  5F110EE47 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110HK03 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110NN01 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5G323CA04 ,  5G323CA05

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 金属配線、それを備えた薄膜トランジスタおよび表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-161077   出願人：シャープ株式会社
• 金属配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-374482   出願人：日本電気株式会社
• 金属パターンの形成方法及び金属配線パターンを有する半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-118120   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (3件)

• 導電膜パターンの形成方法および電気光学装置、電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-197801   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 金属パターンの形成方法及び金属配線パターンを有する半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-118120   出願人：ソニー株式会社
• 導電性インキ組成物とそれを用いた微細パターンの印刷方法および透光性電磁波シールド部材の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-328253   出願人：住友ゴム工業株式会社