半導体装置の不揮発性キャパシタ、その不揮発性キャパシタを含む半導体メモリ素子およびその半導体メモリ素子の動作方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：磯野道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-365229
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183979
出願日： 2004年12月17日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【課題】半導体装置の不揮発性キャパシタ、それを含む半導体メモリ素子およびその動作方法を提供する。【解決手段】下部電極と、誘電体層と、上部電極とが順次に積層された構成を有し、前記誘電体層が、絶縁性が変化した後に顕著に異なる2つの抵抗特性を示す相転移膜を含む半導体装置のキャパシタ、そのキャパシタを含む半導体メモリ素子、および前記半導体メモリ素子の動作方法を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下部電極と、誘電体層と、上部電極とが順次に積層された構成を有し、前記誘電体層が、絶縁性が変化した後に顕著に異なる2つの抵抗特性を示す相転移膜を含むことを特徴とする半導体装置のキャパシタ。

IPC (2件)：

H01L27/10 , H01L49/02

FI (2件)：

H01L27/10 451 , H01L49/02

Fターム (8件)：

5F083FZ10 , 5F083GA01 , 5F083HA10 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA17

引用特許：

審査官引用 (7件)

特表平6-509909
電子群の位置移動を利用する記録素子、その製作方法、その動作方法およびそれを用いた記録装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-081160 出願人：飯田修一
情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-600308 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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