特許
J-GLOBAL ID：200903008944422842

電極基板の製造方法、並びにこの製造方法により製造された電極基板、これを用いた液晶装置

発明者：
中西 淳二

中西 淳二 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-176964
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358212
出願日： 2000年06月13日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：
【要約】【課題】 2つのエッチング比率の異なる積層膜からなる絶縁膜に良好な形状のコンタクトホールを形成する。【解決手段】 アレイ基板10は、半導体層1aを有するスイッチング素子30を覆うようにエッチング比率が互いに異なる第1層間絶縁膜4及び第2層間絶縁膜7が形成されている。第2層間絶縁膜7上には、半導体層1aとコンタクトホール8を介して電気的に接続する画素電極9aが形成されている。コンタクトホール8は、第1凹部8aと第2凹部8bとが連なった形状を有しており、第1凹部8aは、第2層間絶縁膜7の一部をウエットエッチング法によりエッチングして形成し、第2凹部8bは、ゲート絶縁膜2、第1層間絶縁膜4及び第2層間絶縁膜7をドライエッチング法によりエッチングして形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の一部をウエットエッチング法によりエッチングし、第1凹部を形成する工程と、前記第1凹部を介してドライエッチング法により前記絶縁膜をエッチングし、前記絶縁膜を貫通する第2凹部を形成する工程とを具備することを特徴とする電極基板の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/768 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 348 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (9件)：
G02F 1/1333 505 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 348 A ,  H01L 21/90 C ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 619 A
Fターム (136件)：
2H090HA03 ,  2H090HA04 ,  2H090HA06 ,  2H090HB02X ,  2H090HC01 ,  2H090HC12 ,  2H090HC17 ,  2H090HD05 ,  2H090JB04 ,  2H090LA01 ,  2H090LA04 ,  2H092GA59 ,  2H092JA24 ,  2H092JA35 ,  2H092JA36 ,  2H092JB51 ,  2H092JB56 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA12 ,  2H092KB02 ,  2H092KB04 ,  2H092KB25 ,  2H092MA07 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA37 ,  2H092NA15 ,  2H092NA28 ,  2H092PA09 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EB02 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH10 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ10 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK04 ,  5F033NN32 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ22 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR15 ,  5F033SS01 ,  5F033SS04 ,  5F033SS12 ,  5F033SS13 ,  5F033TT02 ,  5F033VV15 ,  5F033XX02 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD25 ,  5F110EE09 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL05 ,  5F110HL14 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110HM17 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN54 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP33 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ10 ,  5F110QQ11 ,  5G435AA17 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435EE37 ,  5G435HH12 ,  5G435HH13 ,  5G435HH14 ,  5G435KK05
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM