特許
J-GLOBAL ID:200903008992448039

半導体素子搭載用部材とそれを用いた半導体装置および発光ダイオード

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-005305
公開番号(公開出願番号):特開2007-189031
出願日: 2006年01月12日
公開日(公表日): 2007年07月26日
要約:
【課題】半導体素子を、封止部材によって、より確実に封止して、長期間に亘る信頼性を向上することができる、新規な半導体素子搭載用部材と、前記半導体素子搭載用部材を用いた半導体装置および発光ダイオードを提供する。【解決手段】半導体素子搭載用部材は、絶縁部材5の素子搭載面6に形成する電極層7の周縁領域A1を、内部領域A2との境界部20から端縁16へ向けて、厚みが漸減し、前記端縁16で0になる断面形状に形成した。半導体装置1は、前記素子搭載面6上に半導体素子を搭載すると共に、封止部材を、接合層を介して、電極層7上に重なるように接合した。発光ダイオードは、半導体素子として半導体発光素子を用いた。【選択図】図4
請求項(抜粋):
半導体素子が搭載される素子搭載面を有する絶縁部材と、前記素子搭載面に形成された、所定の平面形状を有する電極層とを備え、前記電極層のうち、前記平面形状の端縁から、前記端縁より0.15mm以上、面方向の内方までの間の、略一定幅の周縁領域が、前記周縁領域より面方向の内方の、厚みが略一定に形成された内部領域との境界部において、前記内部領域と等しい厚みを有すると共に、前記境界部から端縁に向けて、厚みが徐々に減じられて、端縁で0になる断面形状に形成されていることを特徴とする半導体素子搭載用部材。
IPC (3件):
H01L 23/02 ,  H01L 23/04 ,  H01L 33/00
FI (3件):
H01L23/02 F ,  H01L23/04 E ,  H01L33/00 N
Fターム (13件):
5F041AA43 ,  5F041DA07 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA35 ,  5F041DA39 ,  5F041DA55 ,  5F041DA61 ,  5F041DA75 ,  5F041DA76 ,  5F041DA78 ,  5F041DB09 ,  5F041EE23
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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