特許
J-GLOBAL ID：200903014294337241
配線基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-213498
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055952
出願日： 2002年07月23日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】サブトラクティブ工法で微細配線の形成が可能な配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層上の導体層にレジストパターンを形成し、ウエットエッチングにより配線を形成する配線基板の製造方法において、パターン形成された該レジストの表面自由エネルギーを、0.1<γp<5.0mN/m、あるいは、0.1<γh<10.0mN/m(γpは表面自由エネルギーの双極子相互作用成分、γhは水素結合成分を示す。)とする。即ち、レジストパターンの表面自由エネルギーのうち親水性成分に関係するγpとγhを低くすることにより導体層とレジスト界面からのエッチング液の浸透を押さえることができ、微細な配線を形成することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁層上の導体層にレジストパターンを形成し、ウエットエッチングにより配線を形成する配線基板の製造方法において、
パターン形成された該レジストの表面自由エネルギーが、
0.1<γp<5.0 mN/m、
あるいは、
0.1<γh<10.0 mN/m
(γpは表面自由エネルギーの双極子相互作用成分、γhは水素結合成分を示す。)
であることを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H05K3/06 H
, H05K3/06 N
, H01L23/12 Z
5E339AB02
, 5E339BC02
, 5E339BE17
, 5E339CC02
, 5E339CD01
, 5E339CD10
, 5E339GG01
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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