特許
J-GLOBAL ID：200903009001465239

半導体装置及びその製造方法

発明者：
新宅 秀臣

新宅 秀臣 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-151266
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340951
出願日： 1997年06月09日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：
【要約】【課題】 コンタクトホールの大きさがフォトリソグラフィーの解像度よりも小さく、コンタクトホールの寸法のばらつきが抑えられた半導体装置及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】 半導体基板3表層のN型不純物拡散層領域17と、配線層5とが、絶縁膜4を貫通するコンタクトホール2内や、配線層5に形成されたスリット内に接続配線層6が埋め込まれることで電気的に接続される。フォトリソグラフィーによりコンタクトホール2のパターニングを行う際、配線層5のスリットに対して垂直に重なるスリットがフォトレジストに形成されるようなマスクパターン2aを有するマスクを用いて露光を行う。エッチングによりコンタクトホール2を形成する時、絶縁膜4と配線層5との選択比をとることで絶縁膜4のみが除去され、コンタクトホール2の開口の大きさが配線層5のスリットと、マスクパターン2aとが重なる領域で規定される。
請求項（抜粋）：
表層に不純物拡散層領域が部分的に形成された半導体基板と、該半導体基板の前記不純物拡散層領域側の表面に層間絶縁膜を介して形成された配線層と、前記層間絶縁膜の、前記不純物拡散層領域に対応する部分で前記層間絶縁膜を貫通したコンタクトホールの内部に形成されて前記不純物拡散層領域と前記配線層とを電気的に接続する接続配線層と、を有する半導体装置において、前記配線層には、前記配線層における前記層間絶縁膜の前記コンタクトホールに対応する部分を通るスリットが形成され、該スリットの内部に前記接続配線層の一部が埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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