特許
J-GLOBAL ID：200903009015418497
基板処理方法および基板処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-246410
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066579
出願日： 2004年08月26日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】スループットを低下させることなくウォーターマークの発生を確実に抑制することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】純水洗浄処理が終了した基板の主面全面に純水を液盛りし、純水の液層を形成する。次に、純水が液盛りされた基板の主面の中心部近傍に窒素ガスを吹き付けて当該中心部近傍に存在する純水を基板の周辺部に押し流す。その結果、基板中心部からは純水の液体成分が排除され、周辺部のみに純水液層が存在する状態へと移行する。この状態にて、基板の回転数を上昇させるとともに、窒素ガスを吐出するガスノズルを基板の回転中心直上から端縁部に向けてスキャンさせる。これにより、基板周辺部の純水が遠心力によって飛散するとともに、窒素ガスを吹き付ける範囲が拡大して基板主面に残留付着している微少な水滴も確実に乾燥することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
リンス液による洗浄処理が終了した基板を乾燥させる基板処理方法であって、
基板の主面にリンス液を供給して洗浄するリンス液洗浄工程と、
リンス液洗浄が終了した前記基板の主面の全面にリンス液を液盛りする液盛り工程と、
リンス液が液盛りされた前記基板の主面の中心部近傍に不活性ガスを吹き付けて当該中心部近傍に存在するリンス液を基板主面の周辺部に押し流す乾燥準備工程と、
前記乾燥準備工程よりも前記基板の回転数を上昇させるとともに、不活性ガスを吹き付ける範囲を拡げて前記基板の主面に残留する水分を乾燥させる乾燥仕上工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/304 651B
, H01L21/304 648G
, H01L21/304 651L
出願人引用 (3件)
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回転基材の表面から液体を除去する方法および装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-306256
出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
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基板処理装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-239785
出願人：大日本スクリーン製造株式会社
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基板処理装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-254214
出願人：大日本スクリーン製造株式会社
審査官引用 (1件)
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