特許
J-GLOBAL ID：200903024638574715
窒化ガリウム単結晶の育成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-136415
公開番号（公開出願番号）：特開2000-327495
出願日： 1999年05月17日
公開日（公表日）： 2000年11月28日
要約：
【要約】【課題】 核発生制御を可能とし、比較的低温・低圧で、高品質で大きなバルク状窒化ガリウム単結晶を合成する。【解決手段】 窒化ガリウム(GaN)薄膜または窒化アルミニウム(AlN)薄膜を表面に堆積させた基板、窒素原料、および、ガリウム原料を加熱して、バルク状窒化ガリウム単結晶を基板表面上にのみ核発生させて育成する。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム(GaN)薄膜または窒化アルミニウム(AlN)薄膜を表面に堆積させた基板と、窒素原料およびガリウム原料とを加熱して、基板表面上にのみ核発生させてバルク状窒化ガリウム単結晶を育成することを特徴とする窒化ガリウム単結晶の育成方法。
Fターム (7件)：
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077BE43
, 4G077BE46
, 4G077DA03
, 4G077EC01
, 4G077ED06
審査官引用 (8件)
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特開昭59-057997
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GaN単結晶の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-062815
出願人：三菱電線工業株式会社
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GaN薄膜の形成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-045405
出願人：理化学研究所
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引用文献：
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