特許
J-GLOBAL ID：200903030981208708

トレンチショットキー整流器が組み込まれたトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ

発明者：
ブランチャード、リチャード、エー

ブランチャード、リチャード、エー について

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フシエフ、フュー-イウアン

フシエフ、フュー-イウアン について

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ソー、クーン、チョング

ソー、クーン、チョング について


出願人/特許権者：
ゼネラル セミコンダクター,インク.

ゼネラル セミコンダクター,インク. について


代理人 (3件)： 小池 晃 ,  田村 榮一 ,  伊賀 誠司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-522983
公開番号（公開出願番号）：特表2005-501408
出願日： 2002年08月23日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：
複数のMOSFETセル及び複数のショットキー整流器セルを備える併合素子及びその設計方法及び製造方法を提供する。MOSFETセルは、(a)半導体領域の上部に形成された第1の伝導性を有するソース領域と、(b)半導体領域の中間部に形成された第2の伝導性を有するボディ領域と、(c)半導体領域の下部に形成された第1の伝導性を有するドレイン領域と、(d)ソース領域、ボディ領域、及びドレイン領域に隣接して配設されたゲート領域とを備える。ショットキーダイオードセルは、トレンチネットワーク内に配設され、半導体領域の下部に対しショットキー整流コンタクトを形成する導電体部分を備える。複数の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタセルの少なくとも1つのゲート領域は、少なくとも1つのトレンチショットキーダイオードセルに隣接するトレンチネットワークの側壁に配設されている。
請求項（抜粋）：
(a)半導体領域の上部に形成された第1の伝導性を有するソース領域と、(b)上記半導体領域の中間部に形成された第2の伝導性を有するボディ領域と、(c)上記半導体領域の下部に形成された第1の伝導性を有するドレイン領域と、(d)上記ソース領域、上記ボディ領域、及び上記ドレイン領域に隣接して配設されたゲート領域とを備える複数の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタセルと、 上記半導体領域の下部に対しショットキー整流コンタクトを形成する導電体部分を備える、トレンチネットワーク内に配設された、複数のショットキーダイオードセルとを備え、 上記複数の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタセルの少なくとも1つのゲート領域は、少なくとも1つのトレンチショットキーダイオードセルに隣接する上記トレンチネットワークの側壁に配設されている併合素子。
IPC (7件)：
H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872
FI (9件)：
H01L29/78 657D ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 653B ,  H01L29/48 F ,  H01L29/44 L ,  H01L29/78 658D ,  H01L29/78 658F ,  H01L27/06 102A
Fターム (26件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB22 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD96 ,  4M104FF01 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  5F048AA05 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA06 ,  5F048BB05 ,  5F048BD04 ,  5F048BD07 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048CB07
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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