特許
J-GLOBAL ID：200903009243160670

半導体装置、およびその製造方法

発明者：
宮田 修

宮田 修 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-006647
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209360
出願日： 1997年01月17日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 リフロー時の熱によって放熱板が反ってしまったり、上記放熱板がダイパッドから剥離してしまったりすることを回避することができる半導体装置、およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体チップ13が搭載されるダイパッド12と、このダイパッド12と接合されるとともに、上記半導体チップ13から発生する熱を外部に放出するための放熱板14と、を備えた半導体装置において、上記ダイパッド12としてニッケル合金を用い、上記放熱板14としてング率と熱膨張係数の積が0.0017[GPa/K]以下の金属、たとえばアルミニウムを用いた。
請求項（抜粋）：
半導体チップが搭載されるダイパッドと、このダイパッドと接合されるとともに、上記半導体チップから発生する熱を外部に放出するための放熱板と、を備えた半導体装置であって、上記ダイパッドとして、ニッケル合金を用い、上記放熱板として、ヤング率と熱膨張係数の積が0.0017[GPa/K]以下の金属を用いることを特徴とする、半導体装置。
FI (3件)：
H01L 23/50 F ,  H01L 23/50 S ,  H01L 23/50 U
引用特許：
審査官引用 (4件)
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