特許
J-GLOBAL ID：200903009251084419
回路シミュレーション方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
須藤 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-064618
公開番号（公開出願番号）：特開2008-225961
出願日： 2007年03月14日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：
【課題】NBTIを反映したトランジスタモデルが組み込まれると共に、実際の回路動作の保証の観点から有用な回路シミュレーション方法を提供する。【解決手段】(1)入力データの読み込みSPICE入力ファイルと制御ファイルを読み込み、解析条件を求め、必要なトランジスタのノード電位を出力するようにSPICE入力ファイルを書き換えて実行する。(2)全ノードの電位変化を抽出し、劣化量計算SPICE出力ファイルから、必要なトランジスタのノード電位の時間軸での変化を読み取り、NBTIとHCIのためのΔVTH0とΔU0を計算する。(3)信頼性考慮SPICE入力ファイル作成劣化情報を付加したSPICE入力ファイルを作成し実行する。(4)解析結果レポートDC印加時のワースト寿命、過渡解析における寿命、指定年数でのNBTIによるΔVtとΔU0、HCIによるΔVtとΔU0、危険なトランジスタ情報、初期のSPICE結果(劣化前)と指定年数での結果をレポートする。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
MOSトランジスタを用いた回路の回路シミュレーション方法において、
MOSトランジスタの初期の閾値電圧Vt及び飽和電流Idsatに対応するパラメータを用いて、回路シミュレーションを実行し、MOSトランジスタのノードの電位変化を取得し、
前記回路シミュレーションによって取得したMOSトランジスタのノードの電位変化に基づいて、閾値電圧Vt及び飽和電流Idsatに対応するパラメータの電圧ストレス印加による変動分を、ストレス停止による回復効果、周波数効果、特性のばらつきを組み込んだトランジスタ特性劣化モデルに基づいて算出し、
前記トランジスタ特性劣化モデルに基づいて算出した変動後のパラメータを用いて、回路シミュレーションを再度実行することを特徴とする回路シミュレーション方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G06F17/50 666Y
, G06F17/50 662G
, G01R31/28 F
2G132AA00
, 2G132AB04
, 2G132AC09
, 2G132AL00
, 5B046AA08
, 5B046BA03
, 5B046BA04
, 5B046JA04
