特許
J-GLOBAL ID：200903009268108753
シリコン光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山川 政樹
, 黒川 弘朗
, 山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-110030
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319668
出願日： 2003年04月15日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】シリコンからなるコアと発光部とを、同一の基板の上にモノリシックに形成することを可能とし、より微細でより安価なシリコン光集積回路が容易に実現できるようにする。【解決手段】電極111,112に電位を印加することで、発光部コア103の少なくとも一部を空乏化して発光部コア103にキャリアを注入し、発光部コア103に添加されている希土類元素に加速されたキャリアを衝突させて希土類元素を励起し、発光部コア103において発光を生じさせる。この発光は、導波路型回折格子105,106に閉じ込められ、反射と誘導放出とが繰り返され、導波路型回折格子105側よりレーザ光が発振する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁体からなる下部クラッド層の上に形成され、希土類元素と酸素原子とが添加された単結晶シリコンからなる所定の長さの発光部コアと、
前記発光部コアを覆うように形成されたシリコン化合物の絶縁体からなる上部クラッドと、
所定の電位が印加される第1電極および第2電極を含み、前記発光部コアの少なくとも一部を空乏化する空乏化手段と、
前記発光部コアの一方の光出射端の側に設けられた第1光反射手段と、
前記発光部コアの他方の光出射端に設けられ、前記第1光反射手段より反射率の低い第2光反射手段と
を有することを特徴とするシリコン光素子。
IPC (4件)：
H01S5/042
, G02B6/122
, H01S5/125
, H01S5/30
H01S5/042
, H01S5/125
, H01S5/30
, G02B6/12 B
2H047KA04
, 2H047KA11
, 2H047LA01
, 2H047MA07
, 2H047PA30
, 2H047QA02
, 5F073AA13
, 5F073AA65
, 5F073BA01
, 5F073BA09
, 5F073CA24
, 5F073CB04
, 5F073CB13
, 5F073CB22
, 5F073DA14
, 5F073DA21
, 5F073EA29
