特許
J-GLOBAL ID：200903012030988691

半導体発光装置及びその製造方法

発明者：
古 川 千 里

古 川 千 里 について

, 
新 田 康 一

新 田 康 一 について


出願人/特許権者：
東芝電子エンジニアリング株式会社

東芝電子エンジニアリング株式会社 について

, 
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-086460
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274458
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体発光装置の製造コストを低減すると共に、プラズマ等を用いたときと異なり基板にストレスを与えない加工を実現する。【解決手段】 サファイア基板11上にGaN系成長層12〜16を成長し、基板又は成長層にサンドブラスタ法を用いて溝の形成又は薄層化加工を行う。基板及び成長層の硬度は高いが、サンドブラスタ法により加工を行うことで、加工時間が短縮化される。また、プラズマを用いた従来の加工法と異なり、基板へストレスを与えずに加工することができ、また装置を簡素化することが可能である。
請求項（抜粋）：
基板の表面上に半導体層を成長させるステップと、前記基板の裏面部分に、サンドブラスタ法を用いて加工を行って薄層化するステップと、を備え、前記基板は、サファイア、SiC、GaNから成る群のうち、少なくともいずれか一つを含み、前記半導体層が、AlxInyGa(1-x-y)N(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)層、若しくはBzGa1-zN(0≦z≦1)を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  B24C 1/04
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  B24C 1/04 C
Fターム (8件)：
5F041AA42 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F041EE11
引用特許：
審査官引用 (12件)
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