特許

J-GLOBAL ID：200903042508358601

半導体装置

発明者： 石田 昌宏 ,  油利 正昭 ,  今藤 修 ,  中村 真嗣 ,  折田 賢児
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-122138
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315817
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】 窒化物系化合物の半導体層上に低抵抗で信頼性よく、かつ透光性の優れた電極を得る。【解決手段】 サファイア基板1の上にGaNよりなるバッファ層2、GaNよりなるn型クラッド層3、In0.2Ga0.8Nよりなる発光層4、GaNよりなるp型クラッド層5が順次形成され、p型クラッド層5の上にグラファイトの膜よりなる正電極7が形成されたものである。

請求項（抜粋）：

導電性を有するAlxGa1-x-yInyN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)よりなる半導体層と、前記半導体層の上に形成された電極とを有し、前記電極は炭素よりなる膜を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01S 3/18 673

Fターム (25件)：

5F041AA03 ,  5F041AA23 ,  5F041AA43 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041DA03 ,  5F041DA07 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29 ,  5F073FA27

引用特許：

審査官引用 (9件)

• 半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-050111   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-034979
  
• 特開平2-034979
  
• II-VI族化合物半導体から成る発光受光素子用の電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-163040   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-240784
  
• ダイヤモンド発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-069201   出願人：株式会社神戸製鋼所
• 特開平2-034979
  
• 特開平4-240784
  
• 化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-114954   出願人：シャープ株式会社