半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-209780
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026366
出願日： 2000年07月11日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】波長の異なる複数の光に対して実質的に同程度の感度を有するフォトダイオードを有する半導体装置を提供する。【解決手段】第1導電型半導体層11と、上記第1導電型半導体層11の表層部に形成された第2導電型半導体層12とを有するフォトダイオードにおいて、第1の波長の光に対する感度と第1の波長と異なる第2の波長の光に対する感度が略同一となるように、第1導電型半導体層11と第2導電型半導体層12に逆バイアスを印加したときに、第1導電型半導体層11と第2導電型半導体層12の接合面から空乏層Vが広がる領域が設計されており、例えば、第2導電型半導体層の表面から深さ方向に3〜6μmの領域あるいは2〜7μmの領域に広がるように設計されている構成とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体層と、上記第1導電型半導体層の表層部に形成された第2導電型半導体層とを有するフォトダイオードを有する半導体装置であって、上記フォトダイオードの第1の波長の光に対する感度と上記第1の波長と異なる第2の波長の光に対する感度が略同一となるように、上記第1導電型半導体層と上記第2導電型半導体層に逆バイアスを印加したときに、上記第1導電型半導体層と上記第2導電型半導体層の接合面から空乏層が広がる領域が設計されている半導体装置。

Fターム (9件)：

5F049MA04 , 5F049MB03 , 5F049NA03 , 5F049NA10 , 5F049NB08 , 5F049NB10 , 5F049UA11 , 5F049WA01 , 5F049WA03

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開昭61-141177
特開平3-091959
特開昭61-141177

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