特許
J-GLOBAL ID：200903001913168560

回路内蔵受光素子

発明者：
福島 稔彦

福島 稔彦 について

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久保 勝

久保 勝 について

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林田 茂樹

林田 茂樹 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-090493
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284629
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】 従来の回路内蔵受光素子では、長波長から短波長までの拡い波長範囲で良好な受光感度と高い応答特性をもつことができなかった。【解決手段】 第1導電型の第1の半導体基板3、第1導電型の第1の半導体層5、第1導電型の第2の半導体層6を順次積層し、該第2の半導体層6表面内に当該半導体層6とにより信号光を検出する光検出フォトダイオード部が構成される第2導電型半導体領域7が形成され、該光検出フォトダイオード部周辺に位置する前記第1及び第2の半導体層5,6内に回路素子が形成されてなる回路内蔵受光素子であって、前記第2導電型半導体領域7は、短波長からなる前記信号光の侵入長に応じた拡散深さを有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1の半導体基板、第1導電型の第1の半導体層、第1導電型の第2の半導体層を順次積層し、該第2の半導体層表面内に当該半導体層とにより信号光を検出する光検出フォトダイオード部が構成される第2導電型拡散領域が形成され、該光検出フォトダイオード部周辺に位置する前記第1及び第2の半導体層内に回路素子が形成されてなる回路内蔵受光素子であって、前記第2導電型拡散領域は、短波長からなる前記信号光の侵入長に応じた拡散深さを有することを特徴とする回路内蔵受光素子。
IPC (2件)：
H01L 31/10 ,  H01L 27/14
FI (3件)：
H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 31/10 G
Fターム (20件)：
4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118BA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118DA32 ,  4M118EA01 ,  4M118EA15 ,  4M118FC09 ,  4M118FC18 ,  5F049MA04 ,  5F049MB02 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049NA10 ,  5F049NB08 ,  5F049QA03 ,  5F049QA13 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03
引用特許：
審査官引用 (15件)
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