炭化ケイ素半導体装置の製造方法および炭化ケイ素半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-060451
公開番号（公開出願番号）：特開2007-242744
出願日： 2006年03月07日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：

【課題】オーミックコンタクト抵抗が低減できるようなオーミックコンタクト形成のためのアニール処理を施した、炭化ケイ素(000-1)面上に絶縁膜を有する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。【解決手段】炭化ケイ素半導体の(000-1)面8上に、少なくとも酸素と水分を含むガス中で熱酸化し前記炭化ケイ素半導体の(000-1)面8上に接するように絶縁膜18を形成する工程と、絶縁膜18の一部を除去し開口部を形成する工程と、開口部の少なくとも一部にコンタクトメタル20を堆積する工程と、熱処理によりコンタクトメタル20と炭化ケイ素の反応層21を形成する工程とを有する炭化ケイ素半導体装置の製造方法において、前記熱処理を不活性ガスと水素の混合ガス中にて実施することを特徴とする炭化ケイ素半導体装置の製造方法である。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素半導体の(000-1)面上に、少なくとも酸素と水分を含むガス中で熱酸化し前記炭化ケイ素半導体の(000-1)面上に接するように絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜の一部を除去し開口部を形成する工程と、該開口部の少なくとも一部にコンタクトメタルを堆積する工程と、熱処理により前記コンタクトメタルと炭化ケイ素の反応層を形成する工程とを有する炭化ケイ素半導体装置の製造方法において、前記熱処理を不活性ガスと水素の混合ガス中にて実施することを特徴とする炭化ケイ素半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/78 , H01L 21/316 , H01L 21/336 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 29/12 , H01L 21/28

FI (6件)：

H01L29/78 301B , H01L21/316 S , H01L29/78 658F , H01L27/04 C , H01L29/78 652T , H01L21/28 301B

Fターム (52件)：

4M104AA03 , 4M104BB02 , 4M104CC01 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104DD79 , 4M104DD83 , 4M104FF13 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC14 , 5F038CA12 , 5F038EZ02 , 5F038EZ14 , 5F038EZ16 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F058BC02 , 5F058BF63 , 5F058BH01 , 5F058BJ01 , 5F140AA10 , 5F140AA30 , 5F140AC23 , 5F140BA02 , 5F140BA20 , 5F140BC12 , 5F140BE07 , 5F140BE17 , 5F140BF04 , 5F140BG02 , 5F140BG28 , 5F140BH21 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BH49 , 5F140BJ05 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140BK33 , 5F140BK38 , 5F140BK40 , 5F140CE02

引用文献：

審査官引用 (2件)

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