特許
J-GLOBAL ID:200903009546834746
ギャップで分断された薄膜の製造方法、およびこれを用いたデバイスの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鎌田 耕一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-121512
公開番号(公開出願番号):特開2009-272432
出願日: 2008年05月07日
公開日(公表日): 2009年11月19日
要約:
【課題】 幅が1μm未満であるギャップ(ナノギャップ)を有する薄膜の新たな製造方法を提供する。【解決手段】 基材1上に配置した径が1μm未満であるファイバー(ナノファイバー)2の上およびこのファイバー2に隣接する基材1の表面上に薄膜を構成する材料3を堆積させ、ファイバー2をこの上に堆積した薄膜材料3とともに除去し、ナノギャップ5を形成する。ファイバー2は、エレクトロスピニング法により予め作製したものを用いるとよい。具体的には、離間して配置された2つのコレクタの間を掛け渡すように原ファイバーを作製し、2つのコレクタの間の距離を広げることにより原ファイバーを延伸するとともに細径化すれば、径が均一化されたナノファイバーを得ることができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基材上に配置した径が1μm未満であるファイバーの上および前記ファイバーに隣接する前記基材の表面上に薄膜材料を堆積させ、
前記基材の表面上に堆積した前記薄膜材料が前記ファイバーを配置した領域に形成されたギャップにより分断された薄膜を形成するように、前記ファイバーを当該ファイバー上に堆積した前記薄膜材料とともに除去する、幅が1μm未満であるギャップで分断された薄膜の製造方法。
IPC (3件):
H01L 21/28
, H01B 13/00
, B82B 3/00
FI (3件):
H01L21/28 E
, H01B13/00 503D
, B82B3/00
Fターム (6件):
4M104BB09
, 4M104BB36
, 4M104DD34
, 4M104DD68
, 4M104HH14
, 5G323CA05
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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