特許
J-GLOBAL ID:200903009605223080
不揮発性半導体記憶素子及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
田治米 登 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-016773
公開番号(公開出願番号):特開2002-222875
出願日: 2001年01月25日
公開日(公表日): 2002年08月09日
要約:
【要約】【課題】 MONOS型フラッシュメモリーに類した不揮発性半導体記憶素子において、データの保持特性、書き込み/消去繰り返し耐性を向上させる。【解決手段】 MIS型トランジスタのゲート電極Gと半導体基板(Si基板1)との間に離散的トラップを有するゲート絶縁膜7が設けられており、トラップに充放電させることによりデータの記憶、消去を行う不揮発性半導体記憶素子200において、ゲート絶縁膜7中にトラップの形成層として高融点金属を含む離散的極薄膜12を設ける。
請求項(抜粋):
MIS型トランジスタのゲート電極と半導体基板との間に離散的トラップを有するゲート絶縁膜が設けられており、トラップに充放電させることによりデータの記憶、消去を行う不揮発性半導体記憶素子であって、ゲート絶縁膜中にトラップの形成層として高融点金属を含む離散的極薄膜が設けられていることを特徴とする不揮発性半導体記憶素子。
IPC (4件):
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
FI (2件):
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
Fターム (33件):
5F001AA11
, 5F001AC02
, 5F001AC06
, 5F001AD17
, 5F001AG02
, 5F001AG12
, 5F001AG21
, 5F001AG30
, 5F083EP17
, 5F083EP50
, 5F083EP63
, 5F083EP68
, 5F083ER03
, 5F083ER09
, 5F083GA21
, 5F083JA35
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083NA01
, 5F083NA08
, 5F083PR12
, 5F083PR21
, 5F083PR34
, 5F083PR39
, 5F083PR40
, 5F101BA41
, 5F101BC02
, 5F101BC11
, 5F101BD07
, 5F101BH02
, 5F101BH03
, 5F101BH09
, 5F101BH16
引用特許:
審査官引用 (15件)
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メモリ素子およびその製造方法ならびに集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-274983
出願人:ソニー株式会社
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半導体記憶素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-271436
出願人:シャープ株式会社
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特開昭55-085074
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特開昭54-139383
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薄膜製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-287331
出願人:三星電子株式会社
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特公昭52-004151
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特開昭51-102477
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不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-293363
出願人:ソニー株式会社
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特開昭60-059779
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成膜装置および成膜方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-000183
出願人:東京エレクトロン株式会社
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原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-307849
出願人:三星電子株式会社
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酸化シリコン層の形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-062527
出願人:富士通株式会社
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特開昭52-056857
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特開昭55-142488
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特公昭55-050394
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