半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-023636
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235515
出願日： 2003年01月31日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

【課題】センスアンプの感度を向上させることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板上に設けられた、センスアンプ10およびセンスアンプ20とを備えている。また、センスアンプ10は、一対のトランジスタ10A,10Bを用いて構成されている。センスアンプ20は、一対のトランジスタ20A,20Bを用いて構成されている。トランジスタ10A,10Bとトランジスタ20A,20Bとは、半導体基板上に設けられた素子分離絶縁部100により互いに分離されている。したがって、従来のように、トランジスタ10A,10Bのソース領域13A,13Bとトランジスタ20A,20Bのソース領域23A,23Bとが共用されていない。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

同時に活性化される2つのセンスアンプが隣接して配置され、該2つのセンスアンプそれぞれに一対のデータが入力される半導体装置であって、前記センスアンプは、前記一対のデータのうち一方が入力される第1のトランジスタと、該第1のトランジスタと対をなし、前記一対のデータのうち他方が入力される第2のトランジスタとを備え、前記第1のトランジスタのソース/ドレイン領域と前記第2のトランジスタのソース/ドレイン領域とが、素子分離絶縁部で絶縁されており、前記第1のトランジスタのソース/ドレイン領域には第1のコンタクトが接続され、前記第2のトランジスタのソース/ドレイン領域には第2のコンタクトが接続され、前記第1のコンタクトと前記第2のコンタクトとが、同一の配線に接続されている、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L21/8242 , G11C11/409 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/108

FI (3件)：

H01L27/10 681G , H01L27/08 321A , G11C11/34 353Z

Fターム (24件)：

5F048AB01 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BF16 , 5F048BG01 , 5F048BG12 , 5F048BG13 , 5F048DA27 , 5F083AD00 , 5F083JA19 , 5F083LA03 , 5F083LA11 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5M024AA93 , 5M024BB14 , 5M024BB35 , 5M024CC90 , 5M024LL11 , 5M024PP03 , 5M024PP04 , 5M024PP05

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-292912 出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 株式会社日立製作所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-326550 出願人：三菱電機株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-187616 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

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