特許
J-GLOBAL ID：200903009714381213

半導体薄膜形成方法およびその方法により形成された半導体薄膜を用いた光起電力装置。

発明者：
島 正樹

島 正樹 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-088753
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277133
出願日： 2004年03月25日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】 この発明は、触媒CVD法において、薄膜材料の成膜速度を高速に維持しつつ、基板への輻射熱の影響を抑制することを目的とするものである。【解決手段】 この発明は、触媒CVDに用いる線状の触媒体3に実質的に密に構成されている部分31と疎32に構成されている部分を混在して設け、かつ密に構成されている部分31は、疎に構成されている部分32の少なくとも一部よりも基板との距離が遠く設定する。そして、記触媒体3を高温に加熱し、加熱された触媒体3に対し原料となるガスを供給し、ガス分子が触媒体3の表面にて分解されることにより生成される活性種およびそれら活性種の高次反応により生成された活性種によって半導体薄膜を形成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
線状の触媒体に実質的に密に構成されている部分と疎に構成されている部分を混在して設け、かつ密に構成されている部分は、疎に構成されている部分の少なくとも一部よりも基板との距離を遠く設定し、前記触媒体を高温に加熱し、加熱された触媒体に対し原料となるガスを供給し、ガス分子が前記触媒体の表面にて分解されることにより生成される活性種およびそれら活性種の高次反応により生成された活性種によって基板上に半導体薄膜を形成することを特徴とする半導体薄膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L31/04
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/44 A ,  H01L31/04 V
Fターム (27件)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB04 ,  4K030BB12 ,  4K030CA02 ,  4K030FA17 ,  4K030LA16 ,  5F045AA03 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA61 ,  5F045DP03 ,  5F051BA14 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA14 ,  5F051CA24 ,  5F051CA40 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051GA02 ,  5F051GA06
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 触媒化学蒸着装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-259432   出願人：松村英樹, アネルバ株式会社
審査官引用 (3件)

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