特許
J-GLOBAL ID：200903009792590708

アッシング方法及びアッシング装置

発明者：
山崎 克弘

山崎 克弘 について


出願人/特許権者：
芝浦メカトロニクス株式会社

芝浦メカトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 木内 光春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-254248
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073722
出願日： 2004年09月01日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】 ウェーハ上に露出した多孔質Low-K膜に対して、膜質の劣化を防ぎ、ウェーハからレジストを確実に除去することのできるアッシング方法及びアッシング装置を提供する。 【解決手段】 本発明のアッシング装置は、誘電体プラズマ発生室14にガスを導入し、当該ガスを励起させてプラズマを生起し、前記ガスプラズマによってLow-K膜を用いた被処理対象物Sのプラズマ処理を行うアッシング装置である。ガス制御部20から導入されるアッシングガスは、H2を添加した不活性ガスである。これらの混合ガスによるプラズマを生成させ、発生した水素ラジカルによってレジストを除去するように構成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも一部が誘電体で形成されたプラズマ発生室にガスを導入し、当該ガスを励起させてプラズマを生起し、前記ガスプラズマによってLow-K膜を用いた被処理対象物のプラズマ処理を行うアッシング方法において、 前記プラズマ発生室に対してH2を添加した不活性ガスを導入し、 この不活性ガスを励起させてプラズマを生成させ、発生した水素ラジカルによって前記被処理対象物上のレジストを除去することを特徴とするアッシング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
H01L21/302 104H ,  H01L21/30 572A
Fターム (12件)：
5F004AA08 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BD01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004EB03 ,  5F046MA12
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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