ヒューズ/アンチヒューズを用いたワンタイムプログラマブルメモリ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田次生 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-231867
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142653
出願日： 2002年08月08日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】高密度、低コストのワンタイムプログラマブル(OTP)メモリと、そのプログラミング方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様によるOTPメモリは、1つまたは複数のメモリアレイを含む。各メモリアレイは、行方向導体と列方向導体との間の交点でクロスポイントが形成されるように、行方向に延びる1つまたは複数の行方向導体及び列方向に延びる1つまたは複数の列方向導体を含む。メモリアレイは、少なくとも1つのクロスポイントに形成された状態素子を含む。状態素子は、ヒューズ及びヒューズと直列のアンチヒューズを含み、行及び列方向導体と電気接触している。OTPメモリをプログラムする方法は、状態素子を選択するステップと、書込み電圧を選択された状態素子に電気接続された行方向導体に印加するステップと、選択された状態素子に電気接続された列方向導体を接地するステップからなる。

請求項（抜粋）：

行方向に延びる1つまたは複数の行方向導体と、クロスポイントが前記行方向導体と列方向導体との間の交点に形成されるように、列方向に延びる1つまたは複数の列方向導体と、少なくとも1つのクロスポイントに形成される状態素子であって、互いに直列であるヒューズ及びアンチヒューズを含み、前記行方向導体及び前記列方向導体と電気接触している状態素子と、を備えるワンタイムプログラマブルメモリアレイ。

IPC (2件)：

H01L 27/10 431 , H01L 21/82

FI (2件)：

H01L 27/10 431 , H01L 21/82 A

Fターム (19件)：

5F064AA08 , 5F064FF05 , 5F064FF28 , 5F064FF45 , 5F083CR12 , 5F083CR14 , 5F083CR15 , 5F083GA09 , 5F083GA10 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA19 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA51 , 5F083JA60

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-318732 出願人：大見忠弘
電子回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-016018 出願人：キヤノン株式会社
リプログラマブル電気回路及びリプログラマブル性を可能にするための接続変更方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-003598 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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