特許
J-GLOBAL ID：200903009834824542

半導体装置

発明者：
熊谷 北斗

熊谷 北斗 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-190873
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098605
出願日： 2007年07月23日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：
【課題】ダイシング時の衝撃を逃がして、半導体装置の歩留まりを向上させる。【解決手段】半導体装置100は、シリコン層4上に形成された多層配線構造3内で、平面視において素子形成領域50の外周に形成されたシールリング6と、シールリング6のさらに外周に形成されたダミーメタル構造30a〜ダミーメタル構造30iを含む。ダミーメタル配線24は、内周側に形成されたものほど上層に配置される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板上に形成され、配線および絶縁膜により構成された配線層が複数積層された多層配線構造と、 前記多層配線構造内で、平面視において素子形成領域の外周に形成されたシールリングと、 前記シールリングの外周に形成され、ダミー配線を含む第1のダミーメタル構造と、 前記第1のダミーメタル構造と前記シールリングとの間に形成され、ダミー配線を含む第2のダミーメタル構造と、 を含み、 前記第2のダミーメタル構造の前記ダミー配線の下面は前記第1のダミーメタル構造の前記ダミー配線の下面よりも上方に配置され、 前記第2のダミーメタル構造の前記ダミー配線の上面は前記第1のダミーメタル構造の前記ダミー配線の上面よりも上方に配置された半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/320 ,  H01L 23/52
FI (1件)：
H01L21/88 S
Fターム (7件)：
5F033HH08 ,  5F033KK11 ,  5F033RR04 ,  5F033UU05 ,  5F033VV00 ,  5F033VV01 ,  5F033XX17
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-182366   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-164686   出願人：富士通株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-119164   出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-182366   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-200822   出願人：松下電器産業株式会社

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