プラズマを用いた試料の表面処理方法及び表面処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-115557
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306848
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】試料表面に高能率に成膜或いは表面改質を行ない、且つ清浄雰囲気下において試料表面に反応生成物が再付着することなく、良質な膜形成或いは表面改質を行なうことができる、プラズマを用いた表面処理方法及び表面処理装置を提供する。【解決手段】プラズマを用いた試料の表面処理装置が、所定の気体雰囲気内に配置された試料の近傍に、反応ガス供給部より局所的に反応ガスを供給し、且つ、該試料に応じた形状を有する壁面を対向させて該反応ガス供給部から該気体雰囲気に向けて低コンダクタンスの気体流路を構成することによって、該気体雰囲気よりも高い圧力を有する高圧反応ガス領域を該低コンダクタンスの気体流路に局所的に形成し、該高圧反応ガス領域中に該反応ガスに基づく局所的な高圧プラズマを発生させ、該高圧プラズマ中の反応種によって該試料に対する表面処理を行う。

請求項（抜粋）：

所定の気体雰囲気の中に試料を配置する工程と、該試料の近傍に局所的に、反応ガス供給部から反応ガスを供給する工程と、該試料に対向する壁面を配置して、該反応ガス供給部から該気体雰囲気に向けて低コンダクタンスの気体流路を構成することによって、該気体雰囲気よりも高い圧力を有する高圧反応ガス領域を該低コンダクタンスの気体流路に局所的に形成する工程と、該高圧反応ガス領域中に該反応ガスに基づく局所的な高圧プラズマを発生させ、該高圧プラズマ中の反応種によって該試料に対する表面処理を行う工程と、を包含する、プラズマを用いた試料の表面処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 E , C23C 16/50 B , H01L 21/31 C , H01L 21/302 C

Fターム (31件)：

4K030CA12 , 4K030FA02 , 4K030JA09 , 4K030JA18 , 4K030KA34 , 5F004AA01 , 5F004AA14 , 5F004AA15 , 5F004BA06 , 5F004BA07 , 5F004BA08 , 5F004BB08 , 5F004BB13 , 5F004BB14 , 5F004BB19 , 5F004BD04 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA05 , 5F045AA08 , 5F045AA09 , 5F045BB02 , 5F045BB08 , 5F045BB15 , 5F045BB20 , 5F045DP03 , 5F045DP15 , 5F045EB02 , 5F045EH03 , 5F045EH05 , 5F045EM01

引用特許：

審査官引用 (6件)

高圧環境下極小電極ギャッププラズマ発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-139806 出願人：寺嶋和夫
プラズマ処理装置および基体のプラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-027875 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-142734

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